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Transistor MOSFET IRF540N
100V - 33A

Descripcion
Mosfet de potencia canal N de International Rectifier, de alta eficiencia con una resistencia interna extremadamente baja e incorpora un diodo de recuperacion inversa dentro de su estructura. Capaz de funcionar a altas frecuencias de conmutacion y utilizado en una gran variedad de aplicaciones.

Caracteristicas:
Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 V
Corriente de Drain (ID): 33 A
Encapsulado: TO-220.
Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 mohms
Baja resistencia termica.


Transistor Mosfet Irf540n 33a 100v Irf540 Ir Arduino Nubbeo

$1.387
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Voltaje Drain-Source (VDSS): 100 V
Corriente de Drain (ID): 33 A
Encapsulado: TO-220.
Resistencia Drain-Source (RDS on): 44 mohms
Baja resistencia termica.